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德國si-mat硅晶圓

  • 型   號:2英寸
  • 價   格:5000

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供應德國si-mat硅晶圓—赫爾納貿易

供應德國si-mat硅晶圓,貨期短,支持選型,為您提供一對一解決方案,在中國設有8個辦事處,可為您提供售前、售中和售后服務。

si-mat硅晶圓介紹:

si-mat 是一家專注于硅晶圓供應的企業,與多家國際主流硅晶圓制造商合作,為用戶提供多樣化的硅晶圓產品。公司依托長期穩定的合作伙伴網絡,能夠根據客戶需求提供定制化硅片解決方案,涵蓋從標準規格到特殊要求的各類晶圓。

si-mat硅晶圓主要產品
si-mat供應的硅晶圓主要包括以下幾類:

標準硅晶圓(直徑從50.8毫米至300毫米)

定制化硅晶圓

采用浮區法(FZ)工藝的硅晶圓

采用直拉法(CZ)工藝的硅晶圓

正片(Prime Wafers

測試片(Test Wafers

再生片(Reclaim Wafers

si-mat硅晶圓主要型號
根據SEMI國際標準,si-mat 提供的常見標準硅晶圓型號包括:

2英寸標準晶圓:CZ工藝,50.8毫米直徑,厚度280微米,P/硼摻雜,晶向<100>,電阻率1-30歐姆·厘米,表面為單面拋光(SSP),單平邊

4英寸標準晶圓:CZ工藝,100毫米直徑,厚度525微米,P/硼或N/磷摻雜,晶向<100>,電阻率1-30歐姆·厘米,單面拋光,雙平邊

6英寸標準晶圓:CZ工藝,150毫米直徑,厚度675微米,P/硼或N/磷摻雜,晶向<100>,電阻率1-30歐姆·厘米,單面拋光,雙平邊

8英寸標準晶圓:CZ工藝,200毫米直徑,厚度725微米,P/硼摻雜,晶向<100>,電阻率1-5歐姆·厘米,單面拋光,notch

12英寸標準晶圓:CZ工藝,300毫米直徑,厚度775微米,P/硼摻雜,晶向<100>,電阻率1-100歐姆·厘米,雙面拋光(DSP),notch

si-mat硅晶圓產品介紹
si-mat 提供的硅晶圓以單晶硅為基礎材料,主要通過直拉法(CZ)和浮區法(FZ)兩種工藝制備。直拉法通過將硅晶體從熔融硅中緩慢拉出形成單晶,浮區法通過局部熔化和再結晶過程獲得硅晶棒。兩種工藝均可實現特定的晶向和摻雜分布。產品涵蓋從2英寸到12英寸的直徑范圍,厚度從280微米至775微米不等,電阻率范圍較寬,并可根據需要提供單面拋光或雙面拋光等不同表面處理。

si-mat硅晶圓優勢特點

規格多樣:可提供從標準尺寸到定制尺寸的硅晶圓,并能根據用戶需求調整參數。

供應穩定:依托庫存體系,能夠較快提供50.8毫米至300毫米直徑的晶圓,減少供應中斷。

工藝齊全:同時提供直拉法和浮區法兩種主流工藝的晶圓,適應不同性能需求。

產品分層:提供正片、測試片、再生片等多種等級,滿足生產、研發、測試等不同用途。

支持定制:擁有超過20年的定制經驗,可與合作伙伴共同實現客戶對參數、表面狀態等方面的具體要求。

si-mat硅晶圓應用領域

半導體制造:用于生產集成電路、存儲芯片、邏輯電路等。

微處理器與微控制器:作為計算機、智能手機等設備中核心芯片的基板材料。

光電子與傳感器:用于制造圖像傳感器、光學組件及各類傳感元件。

微機電系統(MEMS):作為傳感器、執行器等微型機械系統的襯底。

科研與測試:為新材料、新工藝的研發提供測試載體。

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